خرید اینترنتی فایل ترجمه مقاله اعتبار نانو CMOS مدل فناوری پیش بینی شده در نرم افزار NanoHUB.org

ترجمه مقاله اعتبار نانو CMOS مدل فناوری پیش بینی شده در نرم افزار NanoHUB.org
کلمات کلیدی:ترجمه مقاله اعتبار نانو CMOS مدل فناوری پیش بینی شده در نرم افزار NanoHUBorg,اعتبار نانو CMOS ,نرم افزار NanoHUBorg

ترجمه مقاله اعتبار نانو CMOS مدل فناوری پیش بینی شده در نرم افزار NanoHUB.org در 12 صفحه فارسی ورد قابل ویرایش با فرمت doc به همراه اصل مقاله انگلیسی



عنوان فارسی :

اعتبار نانو CMOS مدل فناوری پیش بینی شده در نرم افزار NanoHUB.org

عنوان انگلیسی :

Validation of Nano-CMOS Predictive Technology Model Tool on NanoHUB.org

تعداد صفحات فارسی : 12 صفحه ورد قابل ویرایش

سطح ترجمه : متوسط

شناسه کالا : brs

دانلود رایگان مقاله انگلیسی : http://ofmas.ir/dlpaper/brs.pdf

دانلود ترجمه فارسی مقاله : بلافاصله پس از پرداخت آنلاین 8 هزار و 500 تومان قادر به دانلود خواهید بود .


بخشی از ترجمه :


چکیده
سیستم های الکترونیکی نسل بعدی نیاز به کسب راه حل های جدید نانو الکترونیکی همگام با قانون مور دارند . نانو CMOS (مکمل اکسید فلز-نیمه هادی ها) فن آوری است که در میان نویدبخش ترین فناوری نانو قرار می گیرد . اگر چه بیشتر فن آوری نانو الکترونیکی جدید هنوز در مراحل ابتدایی خود هستند، با این حال، آنها در حال حاضر پتانسیل سطح بی سابقه ای از ترکیب ، محاسبات کم قدرت، پردازش سیگنال، ذخیره سازی اطلاعات و فرکانس عامل دارند که احتمالا بالاتر و مقرون به صرفه تر از راه حل های موجود می باشد [1، 2]. ماسفت پیشرفته (اکسید فلز-اثر میدان نیمه هادی ترانزیستور) سازه ها نشان می دهد ، که برای پوسته پوسته شدن تکنولوژی CMOS در طول گیت کمتر از 10 نانومتر ، فعال کردن پیشرفتهای مداوم در مدار مجتمع (IC) هزینه و عملکرد (به عنوان مثال، سرعت عامل بالاتر) حداقل به مدت 10 سال یا بیشتر خواهد بود . در طول سه دهه گذشته، با کاهش طول گیت ترانزیستور با هر نسل جدیدی از فن آوری تولیدی، بهبود مداوم در عملکرد مدار (سرعت) و هزینه هر تابع گزارش شده است [2]. با این حال، ادامه پوسته پوسته شدن ترانزیستور در آینده به سادگی گذشته نخواهد بود ، چرا که مواد اساسی و محدودیت های فرآیند به سرعت در حال نزدیک شدن به هم می باشند .

چالش گسترش قانون مور فراتر از موانع فیزیکی و اقتصادی از فن آوری های نیمه هادی بوده و در حال حاضر خواستار راه حل جدید نانو الکترونیکی می باشد . فن آوری CMOS مبتنی بر سیلیکون می توان به نانومتر کوچک کمک کند . عملکرد بالا، مسطح، دستگاه بدنه نازک ساخته بر روی سیلیکون بر روی عایق بستر می باشد و به طول 15 گیت نانومتر [1،2] نشان داده شده است. اثرات گرایش کریستال و زبری در تحرک حامل، کار گیت مهندسی تابع، عملکرد مدار، و حساسیت به تغییرات فرایند ناشی از عوامل مهم برای طراحی دستگاه ها در مقیاس نانو [3،4] است. در این تحقیق، مدل های نانو CMOS مورد بررسی قرار گرفته و به تجزیه و تحلیل رفتار CMOS در مقیاس نانو می پردازد .



Abstract

Next-generation electronic systems will need to adopt novel nano-electronic solutions to keep pace with Moore’s law. Nano-CMOS (complementary metal–oxide–semiconductor) technology is among the most promising of nanotechnologies. Although most new nano-electronic technologies are still in their infancy however they present the potential for unprecedented levels of integration low-power computing signal processing information storage and possibly higher operating frequency with cost-effective system solution [12]. Advanced MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) structures show a promise for scaling CMOS technology to gate lengths below 10 nm to enable continued improvements in integrated circuit (IC) cost and performance (e.g. higher operating speed) for at least 10 more years. Over the past three decades by reducing the transistor gate lengths with each new generation of manufacturing technology steady improvements in circuit performance (speed) and cost per function have been reported [2]. However continued transistor scaling will not be as straightforward in the future as it has been in the past because the fundamental materials and process limits are rapidly being approached.

ادامه مطلب و دریافت فایل

مقاله بررسی تأثیر پدیده ی طلاق بر کودکان:مقاله در مورد پدیده طلاق,طلاق و کودک,مقاله طلاق,تاثیر طلاق روی کودکان, آثار بعدی طلاق,تاثیرات منفی طلاق,عواقب طلاق برای کودک,کودکان طلاق،

ترجمه مقاله تحلیل فاکتورهای بهبود دهنده اعتبار نقشه راه فناوری : یک ارزیابی از نظریه ارتباطات فرایندهای نقشه راه:ترجمه مقاله تحلیل فاکتورهای بهبود دهنده اعتبار نقشه راه فناوری یک ارزیابی از نظریه ارتباطات فرایندهای نقشه راه,نظریه ارتباطات فرایندهای نقشه راه,ارزیابی نظریه ارتباطات, تحلیل فاکتورهای بهبود دهنده اعتبار نقشه راه فناوری,اعتبار نقشه راه فناوری, راه فناوری,نقشه راه فناوری,ترجمه مقاله An analysis of factors improving technology roadmap credib

پاورپوینت نقد دانشکده هنر و معماری ییل:نقد دانشکده هنر ومعماری ییل,سبک ساختمان – پلان طبقات,بافت,سوختن در آتش,نوسازی,نمای اصلی ساختمان پس از بازسازی,سیرکولاسیون طبقات,نمای داخلی تالار هاستینگز,کاربری فضاها,کتابخانه,نمایشگاه موقت,فضای بام سبز,پلان مبلمان,اتاق اساتید,تراس ,کارگاه,سرانه های دانشکده معماری بخش اداری,پژوهشی و تحصیلات,خدمات,آموزش ,مالی,فرهنگی,مرکز اسناد

پاورپوینت ترانس جریان و نقش آن در حفاظت الکتریکی:ترانس جریان ,حفاظت الکتریکی

پاورپوینت بررسی پلیمر و چند کاربرد آن در آثار بزرگ معماری:پاورپوینت پلیمر ، معماری ، طبیعت,پاورپوینت بررسی پلیمر و چند کاربرد آن در آثار بزرگ معماری,پاورپوینت بررسی پلیمر در معماری

پرسشنامه کمال گرایی اهواز:پرسشنامه کمال گرایی اهواز,کمال گرایی اهواز,پرسشنامه کمال گرایی

پاورپوینت طوفان فکری، ساختاردهی و ارزیابی ایده ها، انتخاب:دانلود پاورپوینت طوفان فکری، ساختاردهی و ارزیابی ایده ها، انتخاب,ک ایده یا ایده های متعدد؟,ایده اصلی,چگونه انجام می شود؟,شیوه انجام,زمان جلسه,مراحل طوفان فکری,خلاقیت (creativity) قواعد و تكنیكها,محدود کردن تعداد ایده ها,دسته بندی (categorizing) و ترکیب (combining),رأی گیری (Voting),رای گیری چندگزینه ای,رای گیری چندگزینه ای,درجه بندی

طرح توجیهی و کارآفرینی تولید کود شیمیایی:طرح توجیهی و کارآفرینی تولید کود شیمیایی,کارآفرینی تولید کود شیمیایی,کارآفرینی تولید کود

اموزش و اجرای کامل AHP:AHP,اموزش کامل روش AHP

پروپوزال اثربخشی درمان شناختی - رفتاری و ذهن آگاهی بر سلامت روان مصرف‌ کنندگان کراک:درمان شناختی رفتاری,ذهن آگاهی,اثربخشی ذهن آگاهی,سلامت روان مصرف‌ کنندگان کراک,اثربخشی درمان شناختی رفتاری